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闪存恢复

U盘数据恢复之-nand 芯片坏子管理和删除

时间:2018-11-15 17:29:53   作者:成都数据恢复中心   来源:本站原创   阅读:307   评论:0
内容摘要:现代NAND芯片的每一颗晶体都由几个平面组成。通常,它由2或4个平面组成。该平面由分组为页面和块的存储器单元阵列组成。连接平面使得平面0由偶数物理块(0,2,4,6,...)组成,平面1包括奇数块(1,3,5,7,...)。由于质量相对较差,TLCNAND芯片存在工厂缺陷。每个晶体和平面的缺陷都是独一无二的。在每个块的...
现代NAND芯片的每一颗晶体都由几个平面组成。通常,它由2或4个平面组成。该平面由分组为页面和块的存储器单元阵列组成。连接平面使得平面0由偶数物理块(0,2,4,6,...)组成,平面1包括奇数块(1,3,5,7,...)。由于质量相对较差,TLC NAND芯片存在工厂缺陷。每个晶体和平面的缺陷都是独一无二的。在每个块的所有页面中,来自一个平面的缺陷是相同的。这些缺陷称为坏列。 Bad Columns仅在具有WL tripple地址/ WL tripple地址和DDR数据传输协议的芯片中呈现。
U盘数据恢复之-nand_芯片坏子管理和删除

这些垂直条纹是坏列。在练习1 ... 80个缺陷/列(每页2 ... 160个字节)中,一个页面中的错误列数可以是任意数量。坏列的典型大小是2个字节,很少是1个字节,有时它们被组合在一起作为4,6个字节。对于每个平面,页面上的坏列的分布是唯一的。坏列通常由00 / FF或任何其他二进制模式填充。当提取芯片的物理图像时,物理块顺序读取,因此图像由来自平面0和平面1(平面2,平面3)的交替块组成。由于不同平面的页面和块具有不同的缺陷,因此在物理图像(转储)中,坏列将以2或4个块的周期(区域大小)重复。物理图像有2个飞机和坏列,如下图所示。
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当向NAND写入和读取数据时,控制器会跳过坏列,因为它知道它们在芯片中的位置。坏列不存储任何用户数据。在分析和逻辑图像重建之前,有必要从物理图像中删除坏列,因为它们会移动所有数据。
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有必要确定每个平面的一页内的坏列的位置,大小和数量。位置是从页面开头的错误列的偏移量。坏列大小以字节表示。 Number确定从页面开头的偏移量,必须添加该偏移量才能减少坏列缺陷。

标签:数据 恢复 芯片 管理 删除 
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